IPB010N06NATMA1 datasheet
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>> IPB010N06NATMA1 MOSFET MV POWER MOS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
IPB010N06NATMA1
库存数量:
3030
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET MV POWER MOS
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET MV POWER MOS
IPB010N06NATMA1 PDF下载
制造商
Infineon Technologies
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
60 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流
180 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
1 mOhms
配置
最大工作温度
+ 175 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO263-7
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
IPB010N06NATMA1
IPB011N04L
IPB011N04L G
IPB011N04LG
IPB011N04N
IPB011N04N G
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深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
雷春艳
深圳市科翼源电子有限公司
13510998172
朱小姐
北京京北通宇电子元件有限公司
18724450645
吴
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17862669251
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朱珠
好货芯城
0755-23947614
连先生
IPB010N06NATMA1 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
1
8.556
8.556
10
7.604
76.04
100
7.08
708.0001
500
6.32
3160
1,000
4.926
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